ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ023N06LM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von ISZ072N06NM6ATMA1 von Infineon und ISZ023N06LM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 - 60V 149A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISZ023N06LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,38 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Verlustleistung (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Gehäuse | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| MSL-Level | 1 | 1 |
| Series | — | OptiMOS 6 60 V |
| Part Number | — | ISZ023N06LM6 |
| Orderable Part Number | — | ISZ023N06LM6ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (ID, Tc) | — | 149 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Betriebstemperatur | — | -55C to +175C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Configuration | — | Single |