ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ023N06LM6ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISZ072N06NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISZ023N06LM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ023N06LM6ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
消費電力(TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
パッケージ PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 1
Series — OptiMOS 6 60 V
Part Number — ISZ023N06LM6
Orderable Part Number — ISZ023N06LM6ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 24 A
Pulsed Drain Current (ID, Tc) — 149 A
Power Dissipation (Tc) — 100 W
動作温度 — -55C to +175C
Lead-Free — Yes
Configuration — Single

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