ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ023N06LM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon et ISZ023N06LM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ023N06LM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Boîtier PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Series — OptiMOS 6 60 V
Part Number — ISZ023N06LM6
Orderable Part Number — ISZ023N06LM6ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 24 A
Pulsed Drain Current (ID, Tc) — 149 A
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free — Yes
Configuration — Single

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