ISZ230N10NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ230N10NM6ATMA1 von Infineon und IAUS300N08S5N011TATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ230N10NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $2,65
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Gehäuse PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +175 C (Tj)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

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