ISZ230N10NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon y IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ230N10NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $2,65
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Encapsulado PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +175 C (Tj)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

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