ISZ230N10NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon et IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ230N10NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $2,65
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +175 C (Tj)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

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