ISZ230N10NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ230N10NM6ATMA1 von Infineon und IQE020N04LM6CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ230N10NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $1,65
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench
Gehäuse PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
RoHS-Status Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
Pin-Anzahl — 9
Lead-Free — Yes

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