ISZ230N10NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon e IQE020N04LM6CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ230N10NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $1,65
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench
Encapsulamento PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction) -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
Status RoHS Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
Contagem de pinos — 9
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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