ISZ230N10NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon et IQE020N04LM6CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ230N10NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $1,65
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
Statut RoHS Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
Nombre de broches — 9
Lead-Free — Yes

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