K3KL8L80DM-MGCU vs K3KLELE0DM-BGCU Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K3KL8L80DM-MGCU von Samsung Electronics und K3KLELE0DM-BGCU von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K3KLELE0DM-BGCU K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU ✗ Abgekündigt

Spezifikationsvergleich

Parameter K3KL8L80DM-MGCU K3KLELE0DM-BGCU
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Ende des Lebenszyklus
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,00
Speichertyp LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8 Gbit 144 Gb
Speicherorganisation 1G x 32 x64
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
Gehäuse FBGA-315 496-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) LPDDR5X
Datenrate [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] 8533 Mbps
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25 C to +85 C
Refresh Self-refresh with per-bank refresh support —
Power Management Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) —
Configuration Single-die, 32-bit bus —
RoHS-Status unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment Mobile / Automotive / Edge AI —
Supply Voltage (VDD1) — 1.8 V
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDDQ) — 0.9 V
Supply Voltage (VDDCA) — 0.5 V
Application Class — AI and in-vehicle devices
Product Status — EOL
Power Efficiency vs Previous Generation — Approx. 25% better (per Samsung)
Speed vs Previous Generation — Approx. 1.25x faster (per Samsung)

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