K3KL8L80DM-MGCU vs K3KLELE0DM-BGCU Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K3KL8L80DM-MGCU от Samsung Electronics и K3KLELE0DM-BGCU от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU ✓ Активен
Samsung Electronics
K3KLELE0DM-BGCU K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU ✗ Снят с производства

Сравнение характеристик

Параметр K3KL8L80DM-MGCU K3KLELE0DM-BGCU
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Снято с производства
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8 Gbit 144 Gb
Организация памяти 1G x 32 x64
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
Корпус FBGA-315 496-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Интерфейс LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) LPDDR5X
Скорость передачи данных [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] 8533 Mbps
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25 C to +85 C
Refresh Self-refresh with per-bank refresh support —
Power Management Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) —
Configuration Single-die, 32-bit bus —
Статус RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment Mobile / Automotive / Edge AI —
Supply Voltage (VDD1) — 1.8 V
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDDQ) — 0.9 V
Supply Voltage (VDDCA) — 0.5 V
Application Class — AI and in-vehicle devices
Product Status — EOL
Power Efficiency vs Previous Generation — Approx. 25% better (per Samsung)
Speed vs Previous Generation — Approx. 1.25x faster (per Samsung)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену