K3KL8L80DM-MGCU vs K3KLELE0DM-BGCU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K3KL8L80DM-MGCU par Samsung Electronics et K3KLELE0DM-BGCU par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU ✓ Actif
Samsung Electronics
K3KLELE0DM-BGCU K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre K3KL8L80DM-MGCU K3KLELE0DM-BGCU
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Fin de vie
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8 Gbit 144 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 32 x64
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
Boîtier FBGA-315 496-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) LPDDR5X
Débit de données [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] 8533 Mbps
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25 C to +85 C
Refresh Self-refresh with per-bank refresh support —
Power Management Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) —
Configuration Single-die, 32-bit bus —
Statut RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment Mobile / Automotive / Edge AI —
Supply Voltage (VDD1) — 1.8 V
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDDQ) — 0.9 V
Supply Voltage (VDDCA) — 0.5 V
Application Class — AI and in-vehicle devices
Product Status — EOL
Power Efficiency vs Previous Generation — Approx. 25% better (per Samsung)
Speed vs Previous Generation — Approx. 1.25x faster (per Samsung)

Fiches techniques et ressources

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