K4A4G085WD-BCPB vs MT40A512M8RH-075E:B Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A4G085WD-BCPB von Samsung Electronics und MT40A512M8RH-075E:B von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A4G085WD-BCPB MT40A512M8RH-075E:B
Marke Samsung Electronics Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $2,15
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Die Generation D-die —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (Double Data Rate 4) —
Gehäuse FBGA-78 (PB) 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
RoHS-Status Compliant (PB lead-free suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Halogenfrei [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Datasheet Pages 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) —
Datenrate — 2666 MT/s (DDR4-2666)
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Schnittstellentyp — Parallel
I/O Structure — 1.2V pseudo open-drain
Referenzspannung — On-die internal adjustable VREFDQ generation
Speed Grade Suffix — -075E
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

Datenblätter & Ressourcen

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