K4A4G085WD-BCPB vs MT40A512M8RH-075E:B Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G085WD-BCPB por Samsung Electronics y MT40A512M8RH-075E:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G085WD-BCPB | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $2,15 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (PB) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Estado RoHS | Compliant (PB lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Sin halógenos | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| Velocidad de datos | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Tipo de interfaz | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Tensión de referencia | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |