K4A4G085WD-BCPB vs MT40A512M8RH-075E:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCPB par Samsung Electronics et MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCPB | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $2,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Boîtier | FBGA-78 (PB) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Statut RoHS | Compliant (PB lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| Débit de données | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Type d'interface | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Tension de référence | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |