K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G085WD-BCRC von Samsung Electronics und K4A4G085WD-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,58 | $0,00 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Datenrate | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 (PB) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Schnittstelle | Parallel | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Betriebstemperaturbereich | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (PB lead-free suffix) |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Die Generation | — | D-die |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Halogenfrei | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) |