K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,58 | $0,00 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Débit de données | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 (PB) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Interface | Parallel | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (PB lead-free suffix) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Die Generation | — | D-die |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) |