K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCPB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics e K4A4G085WD-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCPB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,58 $0,00
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Tipo de memória DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM
Taxa de dados 2400 Mb/s (PC2400) —
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Encapsulamento FBGA-78 (TFBGA) FBGA-78 (PB)
Number of Terminals 78 —
Interface Parallel DDR4 (Double Data Rate 4)
Access Mode Multi-bank page burst —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh specification]
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant (PB lead-free suffix)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Density — 4 Gb
Die Generation — D-die
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Livre de halogênio — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Datasheet Pages — 66 pages (K4A4G085WD family datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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