K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WD-BCPB von Samsung Electronics und K4A4G165WF-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WF-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,10 | $17,08 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| Schnittstelle | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free suffix) | Compliant |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Type | — | Samsung 4Gb F-die |
| Bank / Bank Group Architecture | — | 8 banks, bank groups |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| CRC / CA Parity | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic ODT | — | Supported |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |