K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCRC Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WD-BCPB por Samsung Electronics y K4A4G165WF-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB ✓ Activo
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K4A4G165WF-BCRC K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics

K4A4G165WF-BCRC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WF-BCRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $17,08
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Velocidad de datos 2133 MT/s —
Core Voltage 1.2 V —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Die Generation D-die —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] —
Burst Length 8 (BL8, fixed/chop) —
Interfaz DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Pb-Free Yes (per Samsung part-numbering suffix) —
Estado RoHS Compliant (lead-free suffix) Compliant
Refresh Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) —
Speed Grade — DDR4-2400
Tensión de alimentación — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Die Type — Samsung 4Gb F-die
Bank / Bank Group Architecture — 8 banks, bank groups
Data Mask — Supported (DM)
CRC / CA Parity — Supported
ZQ Calibration — Supported
Dynamic ODT — Supported
Auto Precharge — Supported
Asynchronous Reset — Supported

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