K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCRC 비교
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Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WF-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.10 | $17.08 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| 인터페이스 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free suffix) | Compliant |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Type | — | Samsung 4Gb F-die |
| Bank / Bank Group Architecture | — | 8 banks, bank groups |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| CRC / CA Parity | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic ODT | — | Supported |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |