K4A4G165WD-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WD-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G165WD-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,10 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Schnittstellentyp | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Compliant |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Datenrate | — | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Schnittstelle | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |