K4A4G165WD-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A8G165WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,10 | $12,57 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Type d'interface | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Compliant |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Débit de données | — | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |