K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WD-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G165WD-BCTD von Samsung Electronics und K4A4G165WD-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $19,00 | $5,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Schnittstelle | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead free / RoHS Compliant |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Schnittstellentyp | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |