K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WD-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WD-BCTD por Samsung Electronics y K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $19,00 | $5,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Interfaz | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead free / RoHS Compliant |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Tipo de interfaz | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |