K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WD-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WD-BCTD por Samsung Electronics e K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $19,00 | $5,10 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Interface | SSTL-12 | — |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead free / RoHS Compliant |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Tipo de interface | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |