K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G085WC-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Abgekündigt

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WC-BCPB
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Ende des Lebenszyklus
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,50 $2,95
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gb (1G x 8) —
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Datenrate 3200 Mbps (PC4-25600) 2133 Mbps
Speed Bin CL22-22-22 —
Gehäuse FBGA-78 (TFBGA) 78FBGA
Betriebstemperatur 0°C to +95°C (TC) 0 C to +85 C
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
JESD-30 Code R-PBGA-B78 —
Number of Terminals 78 78
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 8 Gb
Speicherorganisation — 1G x 8
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Montageart — Surface Mount
Speed Grade — DDR4-2133
Eigenschaften — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

Datenblätter & Ressourcen

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