K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCTD por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Fim de vida

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WC-BCPB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Fim de vida
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $7,50 $2,95
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gb (1G x 8) —
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Taxa de dados 3200 Mbps (PC4-25600) 2133 Mbps
Speed Bin CL22-22-22 —
Encapsulamento FBGA-78 (TFBGA) 78FBGA
Temperatura de operação 0°C to +95°C (TC) 0 C to +85 C
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
JESD-30 Code R-PBGA-B78 —
Number of Terminals 78 78
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 8 Gb
Organização da memória — 1G x 8
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Tipo de montagem — Surface Mount
Speed Grade — DDR4-2133
Recursos — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

Fichas técnicas e recursos

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