K4A8G085WB-BICR vs K4A8G045WB-BCRC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BICR von Samsung Electronics und K4A8G045WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G085WB-BICR K4A8G045WB-BCRC
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,25 $2,95
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 1G x 8 2G x 4
Datenrate 2400 Mbps —
Versorgungsspannung 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Pin-Anzahl 78 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Schnittstelle — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Betriebstemperatur — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

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