K4A8G085WB-BICR vs K4A8G045WB-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BICR от Samsung Electronics и K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BICR K4A8G045WB-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,25 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 2G x 4
Скорость передачи данных 2400 Mbps —
Напряжение питания 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Число выводов 78 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Интерфейс — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Рабочая температура — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену