K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICH Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BITD von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BICH von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,80 | $4,96 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Datenrate | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2V |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| Gehäuse | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Anzahl der Pins | 78 | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |