K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICH Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BITD por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,80 | $4,96 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2V |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| Encapsulamento | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Número de pinos | 78 | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Interface | Parallel | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |