K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WB-BCTD Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Abgekündigt
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WB-BCTD
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $7,50
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 1G x 8 —
Datenrate 2133 Mbps 3200 Mbps (PC4-25600)
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C to +85 C 0°C to +95°C (TC)
Gehäuse 78FBGA FBGA-78 (TFBGA)
Number of Terminals 78 78
Maximum Seated Height 1.2 mm —
Montageart Surface Mount —
Speed Grade DDR4-2133 —
Eigenschaften Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
Speichergröße — 8 Gb (1G x 8)
Speed Bin — CL22-22-22
Burst Length — 8 (BL8)
On-Die Termination — Yes (ODT)
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
JESD-30 Code — R-PBGA-B78

Datenblätter & Ressourcen

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