K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WC-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $41,20 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 2133 Mbps (PC4-17000) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0C to +95C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA-96) | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Burst Type | Sequential and Interleave | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 15, 16, 18) | — |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Position | BOTTOM | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speichertyp | — | DDR4 SDRAM |
| Datenrate | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Die Revision | — | C-die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes (240 ohm resistor to GND) |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |