K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WC-BCTD Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCPB por Samsung Electronics y K4A8G165WC-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WC-BCTD
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,30 $41,20
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 2133 Mbps (PC4-17000) —
Tensión de alimentación 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Temperatura de funcionamiento 0°C to 85°C 0C to +95C
Encapsulado 96-ball FBGA (TFBGA-96) 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array)
Burst Length 8 (BL8) —
Burst Type Sequential and Interleave —
Latencia CAS Programmable (e.g., 15, 16, 18) —
Refresh Auto and Self Refresh —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Position BOTTOM —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tipo de memoria — DDR4 SDRAM
Velocidad de datos — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1.333 GHz
Tipo de montaje — Surface Mount
Die Revision — C-die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes (240 ohm resistor to GND)
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización