K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WC-BCTD 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ 生産中
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K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WC-BCTD
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.30 $41.20
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 2133 Mbps (PC4-17000) —
電源電圧 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
動作温度 0°C to 85°C 0C to +95C
パッケージ 96-ball FBGA (TFBGA-96) 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array)
Burst Length 8 (BL8) —
Burst Type Sequential and Interleave —
CASレイテンシ Programmable (e.g., 15, 16, 18) —
Refresh Auto and Self Refresh —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Position BOTTOM —
RoHS ステータス Compliant Compliant
メモリタイプ — DDR4 SDRAM
データレート — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1.333 GHz
実装タイプ — Surface Mount
Die Revision — C-die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes (240 ohm resistor to GND)
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes

データシート&リソース

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