K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G045WB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $12,57 | $9,27 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Speichergröße | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps (PC4-19200) | 2133 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (PBGA96) | 78-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C | 0 C to +85 C |
| Schnittstelle | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | Yes (ODT pin) |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 2G x 4 |
| Max Supply Current | — | 211.7 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |