K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G045WB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WB-BCRC K4A8G045WB
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $12.57 $9.27
メモリタイプ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM (B-die)
メモリサイズ 8 Gb (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
データレート 2400 Mbps (PC4-19200) 2133 Mbps
電源電圧 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Technology CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die —
パッケージ 96-ball FBGA (PBGA96) 78-ball FBGA
Ball Pitch 0.8 mm —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +95C 0 C to +85 C
インターフェース DDR4 (Double Data Rate, synchronous) —
On-Die Termination Yes (ODT with dynamic ODT) Yes (ODT pin)
ZQ Calibration Yes —
CRC / CA Parity Yes (CRC function) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 2G x 4
Max Supply Current — 211.7 mA
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes

データシート&リソース

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