K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $37,00 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Datenrate | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | -40C to +95C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| RoHS-Status | — | Compliant |