K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $37,00 | $41,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Datenrate | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (240 ohm resistor to GND) |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Die Revision | — | C-die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| RoHS-Status | — | Compliant |