K4AAG085WM-BCRC vs K4AAG085WM-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG085WM-BCRC von Samsung Electronics und K4AAG085WM-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG085WM-BCRC | K4AAG085WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,00 | $9,95 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] | — |
| Speicherorganisation | x8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Max Data Rate | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) | — |
| Schnittstelle | SSTL12 | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | Bank-group DDR4 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] | — |
| Clock | Differential clock CK/CK# | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Schnittstellentyp | — | Parallel (DDR4) |
| Clock Rate | — | 1333 MHz |
| Datenrate | — | 2666 MT/s |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups |
| Density Class | — | 16 Gbit monolithic DRAM |
| Application Class | — | Industrial / embedded memory |