K4AAG085WM-BCRC vs K4AAG085WM-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG085WM-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4AAG085WM-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG085WM-BCRC | K4AAG085WM-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.00 | $9.95 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] | — |
| 메모리 구성 | x8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Max Data Rate | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) | — |
| 인터페이스 | SSTL12 | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | Bank-group DDR4 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] | — |
| Clock | Differential clock CK/CK# | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel (DDR4) |
| Clock Rate | — | 1333 MHz |
| 데이터 속도 | — | 2666 MT/s |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups |
| Density Class | — | 16 Gbit monolithic DRAM |
| Application Class | — | Industrial / embedded memory |