K4AAG085WM-BCRC vs K4AAG085WM-BCTD Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCRC от Samsung Electronics и K4AAG085WM-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCTD ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCTD
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,00 $9,95
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density [DATA_NEEDED: exact density in Gb] —
Организация памяти x8 2G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Max Data Rate Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) —
Интерфейс SSTL12 —
Корпус 78-ball FBGA FBGA-78
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Architecture Bank-group DDR4 —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] —
Clock Differential clock CK/CK# —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Размер памяти — 16 Gb
Speed Grade — DDR4-2666
Напряжение питания — 1.2 V
Тип интерфейса — Parallel (DDR4)
Clock Rate — 1333 MHz
Скорость передачи данных — 2666 MT/s
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups
Density Class — 16 Gbit monolithic DRAM
Application Class — Industrial / embedded memory

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену