K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG085WM-BCWE von Samsung Electronics und K4AAG085WM-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,00 | $9,95 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Gehäuse | 78FBGA | FBGA-78 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | DDR4 bank groups |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | Industrial / embedded memory |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 |
| Schnittstellentyp | — | Parallel (DDR4) |
| Clock Rate | — | 1333 MHz |
| Density Class | — | 16 Gbit monolithic DRAM |