K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,00 | $9,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | 78FBGA | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | DDR4 bank groups |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | Industrial / embedded memory |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 |
| Type d'interface | — | Parallel (DDR4) |
| Clock Rate | — | 1333 MHz |
| Density Class | — | 16 Gbit monolithic DRAM |