K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCWE от Samsung Electronics и K4AAG085WM-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung
K4AAG085WM-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WM-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,00 | $9,95 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 MT/s |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Корпус | 78FBGA | FBGA-78 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | DDR4 bank groups |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | Industrial / embedded memory |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Размер памяти | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 |
| Тип интерфейса | — | Parallel (DDR4) |
| Clock Rate | — | 1333 MHz |
| Density Class | — | 16 Gbit monolithic DRAM |