K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG165WM-BCTD von Samsung Electronics und K4AAG165WA-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $62,00 | $60,59 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Gehäuse | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-FBGA |
| Schnittstelle | SSTL-12 | Synchronous, DDR4 |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| RoHS-Status | RoHS (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Datenrate | — | 2666 Mbps |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| Technology Family | — | DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) |
| Application Class | — | Computing, embedded, consumer main memory |
| Package Family | — | FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |