K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG165WA-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $62,00 | $60,59 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-FBGA |
| Interface | SSTL-12 | Synchronous, DDR4 |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| Statut RoHS | RoHS (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Débit de données | — | 2666 Mbps |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| Technology Family | — | DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) |
| Application Class | — | Computing, embedded, consumer main memory |
| Package Family | — | FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |