K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WM-BCTD por Samsung Electronics y K4AAG165WA-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $62,00 | $60,59 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Encapsulado | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-FBGA |
| Interfaz | SSTL-12 | Synchronous, DDR4 |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| Estado RoHS | RoHS (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | — | 2666 Mbps |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| Technology Family | — | DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) |
| Application Class | — | Computing, embedded, consumer main memory |
| Package Family | — | FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |