K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646Q Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCK00 von Samsung Electronics und K4B4G1646Q von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $6,50 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Datenrate | 1600 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C (Tcase) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | 11 (at 1600 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Die | — | Q-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |